2SC4995 Todos los transistores

 

2SC4995 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC4995
   Código: YD-
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.55 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: CMPAK-4
 

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2SC4995 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  hitachi
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2SC4995

2SC4995Silicon NPN EpitaxialADE-208-0131st. EditionApplicationVHF / UHF wide band amplifierFeatures High gain bandwidth productfT = 11 GHz Typ High gain, low noise figurePG = 16.5 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHzOutlineCMPAK42311. Collector42. Emitter3. Base4. Emitter2SC4995Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Uni

 8.1. Size:743K  1
 2sc490 2sc491 2sc492 2sc493 2sc494 2sc495 2sc496 2sc497 2sc498 2sc499.pdf pdf_icon

2SC4995

 8.2. Size:51K  rohm
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2SC4995

2SC4997 / 2SC4998TransistorsHigh-frequency Amplifier Transistor,RF switching (10V, 0.1A)2SC4997 / 2SC4998 Features External dimensions (Units : mm)1) High transition frequency. (fT=240MHz)2) High hFE. 2SC4997(1)(2)(3)0.8 Absolute maximum ratings (Ta=25C)1.6Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage VCBO 15 V0.1Min.Collector-emitter voltage VCEO 10 V

 8.3. Size:65K  hitachi
 2sc4993.pdf pdf_icon

2SC4995

2SC4993Silicon NPN EpitaxialADE-208-0111st. EditionApplicationVHF / UHF wide band amplifierFeatures High gain bandwidth productfT = 10.5 GHz Typ High gain, low noise figurePG = 16.5 dB Typ, NF = 1.2 dB Typ at f = 900 MHzOutlineMPAK-42311. Collector2. Emitter43. Base4. Emitter2SC4993Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit

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History: NA32KY | CSA950O | ZXTN19100CZ

 

 
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