2SC5226 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SC5226
   Código: LN3_LN4_LN5
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.75 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: MCP

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC5226

2SC5226 Datasheet (PDF)

..1. Size:112K sanyo
2sc5226.pdf

Ordering number:EN5032ANPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5226VHF to UHF Wide-Band Low-NoiseAmplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz).unit:mm2 High gain : S21e =12dB typ (f=1GHz).2059B High cutoff frequency : fT=7GHz typ.[2SC5226]0.30.1530 to 0.11 20.3 0.60.65 0.650.92.01 : Base2 : Emi

0.1. Size:75K sanyo
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Ordering number : ENA1062 2SC5226ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorVHF to UHF Wide-Band Low-Noise2SC5226AAmplifier ApplicationsFeatures Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). High gain : S21e2=12dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency : fT=7GHz typ.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditio

0.2. Size:237K onsemi
2sc5226a-4 2sc5226a-5.pdf

Ordering number : ENA1062A2SC5226ARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCPFeatures Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 : S21e =12dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=7GHz typSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 20 VCollector-

0.3. Size:356K onsemi
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