2SC5317 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5317 📄📄

Código: MT

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 8 V

Tensión colector-emisor (Vce): 5 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: 2-2H1A

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2SC5317 datasheet

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2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm (chip fT = 16 GHz series) Low noise figure NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emi

0.1. Size:125K toshiba
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2SC5317FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317FT VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm (chip fT = 16 GHz series) Low noise figure NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain S 2 = 9dB (f = 2 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage V

8.1. Size:126K toshiba
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