2SC5318 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5318
Código: MT
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 8 V
Tensión colector-emisor (Vce): 5 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 13000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: 2-3J1C
2SC5318 Datasheet (PDF)
2sc5317.pdf

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm (chip: fT = 16 GHz series) Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmi
2sc5319.pdf

2SC5319 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5319 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 11.5dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 1.5
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Liste
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