2SC5318 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5318  📄📄 

Маркировка: MT

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: 2-3J1C

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5318

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5318 даташит

 ..1. Size:126K  toshiba
 2sc5318.pdf pdf_icon

2SC5318

 8.1. Size:121K  toshiba
 2sc5317.pdf pdf_icon

2SC5318

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm (chip fT = 16 GHz series) Low noise figure NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emi

 8.2. Size:125K  toshiba
 2sc5316.pdf pdf_icon

2SC5318

 8.3. Size:169K  toshiba
 2sc5319.pdf pdf_icon

2SC5318

2SC5319 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5319 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain Ga = 11.5dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 8 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emitter-base voltage VEBO 1.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5301, 2SC5302, 2SC5303, 2SC5304LS, 2SC5305LS, 2SC5315, 2SC5316, 2SC5317, TIP2955, 2SC5320, 2SC5321, 2SC5322, 2SC5323, 2SC5324, 2SC5331, 2SC5332, 2SC5335