Справочник транзисторов. 2SC5318

 

Биполярный транзистор 2SC5318 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5318
   Маркировка: MT
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: 2-3J1C
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5318 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  toshiba
2sc5318.pdfpdf_icon

2SC5318

 8.1. Size:121K  toshiba
2sc5317.pdfpdf_icon

2SC5318

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm (chip: fT = 16 GHz series) Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmi

 8.2. Size:125K  toshiba
2sc5316.pdfpdf_icon

2SC5318

 8.3. Size:169K  toshiba
2sc5319.pdfpdf_icon

2SC5318

2SC5319 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5319 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 11.5dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 1.5

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: AC107N | NSBA143ZF3 | DMC56603 | ZTX454 | KRC407V | DTA024EEB | BF393

 

 
Back to Top

 


 
.