Справочник транзисторов. 2SC5318

 

Биполярный транзистор 2SC5318 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5318
   Маркировка: MT
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: 2-3J1C
 

 Аналог (замена) для 2SC5318

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5318 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  toshiba
2sc5318.pdfpdf_icon

2SC5318

 8.1. Size:121K  toshiba
2sc5317.pdfpdf_icon

2SC5318

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm (chip: fT = 16 GHz series) Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmi

 8.2. Size:125K  toshiba
2sc5316.pdfpdf_icon

2SC5318

 8.3. Size:169K  toshiba
2sc5319.pdfpdf_icon

2SC5318

2SC5319 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5319 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 11.5dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 1.5

Другие транзисторы... 2SC5301 , 2SC5302 , 2SC5303 , 2SC5304LS , 2SC5305LS , 2SC5315 , 2SC5316 , 2SC5317 , 2SD669 , 2SC5320 , 2SC5321 , 2SC5322 , 2SC5323 , 2SC5324 , 2SC5331 , 2SC5332 , 2SC5335 .

History: 2SC3504F

 

 
Back to Top

 


 
.