2N6274A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6274A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 600 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO3
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2N6274A datasheet
2n6274-75 2n6277 2n6274 2n6275 2n6277.pdf
Order this document MOTOROLA by 2N6274/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N6274 High-Power NPN Silicon 2N6275 Transistors 2N6277 * . . . designed for use in industrial military power amplifer and switching circuit *Motorola Preferred Device applications. High Collector Emitter Sustaining 50 AMPERE VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) 2N6274 POWER TRANSISTORS VCEO(sus) = 120 Vdc
2n6274 2n6277.pdf
TECHNICAL DATA PNP POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/514 Devices Qualified Level JAN 2N6274 2N6277 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N6274 2N6277 Unit Collector-Emitter Voltage 100 150 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 120 180 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 6.0 Vdc VEBO Base Current I 20 Adc B Collector Current 50 Adc IC 250 W T
2n6274.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N6274 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =100V(Min) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device Performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) UNI SYMBOL PARAMETER VALUE T V Collector-Base Voltage 120 V CBO V Collector-Emitter Voltage 10
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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