2SC5875 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5875  📄📄 

Código: C5875

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: ATV

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2SC5875 datasheet

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2SC5875

2SC5875 Transistors Power transistor (30V, 2A) 2SC5875 External dimensions (Unit mm) Features 1) High speed switching. ATV 2.5 6.8 (Tf Typ. 20ns at IC = 2A) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. 200mV at IC = 1.0A, IB = 0.1A) 0.65Max. 3) Strong discharge power for inductive load and 0.5 (1) (2) (3) capacitance load. 2.54 2.54 1.05 0.45 (1) Emitter

 8.1. Size:1603K  rohm
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2SC5875

2SC5876U3 Datasheet Medium power transistor (60V, 0.5A) lOutline l SOT-323 Parameter Value SC-70 VCEO 60V IC 500mA UMT3 lFeatures lInner circuit l l 1)High speed switching. (Tf Typ. 80ns at IC=500mA) 2)Low saturation voltage, typically (Typ. 150mV at IC=100mA, IB=10mA) 3)Strong discharge power for inductive load and ca

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2SC5875

2SC5876 Datasheet Medium power transistor (60V, 0.5A) lOutline l Parameter Value UMT3 VCEO 60V IC 500mA SOT-323 SC-70 lFeatures l 1)High speed switching. lInner circuit l (Tf Typ. 80ns at IC=500mA) 2)Low saturation voltage, typically (Typ. 150mV at IC=100mA, IB=10mA) 3)Strong discharge power for

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2SC5875

2SC5877S Transistors Power transistor (60V, 0.5A) 2SC5877S External dimensions (Unit mm) Features 1) High speed switching. 4.0 2.0 SPT (Tf Typ. 80ns at IC = 500mA) 2) Low saturation voltage, typically 0.45 (Typ. 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) Strong discharge power for inductive load and 2.5 0.5 0.45 capacitance load. 5.0 (1) Emitter 4) Complements t

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