2N6277A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6277A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 600 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

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2N6277A datasheet

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2N6277A

Order this document MOTOROLA by 2N6274/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N6274 High-Power NPN Silicon 2N6275 Transistors 2N6277 * . . . designed for use in industrial military power amplifer and switching circuit *Motorola Preferred Device applications. High Collector Emitter Sustaining 50 AMPERE VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) 2N6274 POWER TRANSISTORS VCEO(sus) = 120 Vdc

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2N6277A

TECHNICAL DATA PNP POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/514 Devices Qualified Level JAN 2N6274 2N6277 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N6274 2N6277 Unit Collector-Emitter Voltage 100 150 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 120 180 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 6.0 Vdc VEBO Base Current I 20 Adc B Collector Current 50 Adc IC 250 W T

 8.3. Size:247K  inchange semiconductor
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2N6277A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6277 DESCRIPTION High Switching Speed High DC Current Gain- hFE= 30-120@ IC= 20A Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)=1.0V(Min.)@ IC= 20A Complement to Type 2N6379 APPLICATIONS Designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications.

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