2SC6024 Todos los transistores

 

2SC6024 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC6024
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 9 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 3.5 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 18000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SSFP
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SC6024

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SC6024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  sanyo
 2sc6024.pdf pdf_icon

2SC6024

Ordering number : ENN8290 2SC6024NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to C Band Low-Noise Amplifier2SC6024and OSC ApplicationsFeatures Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=2GHz). High cut-off frequency : fT=14GHz typ (VCE=1V).: fT=21GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain : S21e2=12.5dB typ (f=2GHz). Ultraminiature and thin flat leadless pa

 8.1. Size:142K  toshiba
 2sc6026.pdf pdf_icon

2SC6024

2SC6026 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026 General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120~400 : Complementary to 2SA2154 13Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 2

 8.2. Size:147K  toshiba
 2sc6026mfv.pdf pdf_icon

2SC6024

2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm1.2 0.05 High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE : hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 32

 8.3. Size:145K  toshiba
 2sc6026ct.pdf pdf_icon

2SC6024

2SC6026CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC6026CT General Purpose Amplifier Applications Unit: mm0.60.05 High voltage and high current 0.50.03: VCEO = 50V, IC = 100mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 to 400 : Complementary to 2SA2154CT Absolut

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SC5954 , 2SC5980 , 2SC5993 , 2SC5998 , 2SC5999 , 2SC6012 , 2SC6013 , 2SC6023 , TIP3055 , 2SC6036 , 2SC6044 , 2SC6114 , 2SC634SP , 2SA0879 , 2SA1530A , 2SA1580 , 2SA1585S .

History: CA3081M | SD460 | 3DD159F | PBSS4260PANS | TRF641 | 2SD1053 | KTC811T

 

 
Back to Top

 


 
.