Биполярный транзистор 2SC6024 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC6024
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SSFP
2SC6024 Datasheet (PDF)
2sc6024.pdf
Ordering number : ENN8290 2SC6024NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to C Band Low-Noise Amplifier2SC6024and OSC ApplicationsFeatures Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=2GHz). High cut-off frequency : fT=14GHz typ (VCE=1V).: fT=21GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain : S21e2=12.5dB typ (f=2GHz). Ultraminiature and thin flat leadless pa
2sc6026.pdf
2SC6026 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026 General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120~400 : Complementary to 2SA2154 13Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 2
2sc6026mfv.pdf
2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm1.2 0.05 High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE : hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 32
2sc6026ct.pdf
2SC6026CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC6026CT General Purpose Amplifier Applications Unit: mm0.60.05 High voltage and high current 0.50.03: VCEO = 50V, IC = 100mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 to 400 : Complementary to 2SA2154CT Absolut
2sc6026mfv-y 2sc6026mfv-gr.pdf
2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm1.2 0.05 High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE : hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 32
2sc6023.pdf
Ordering number : ENN8143 2SC6023NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to C Band Low-Noise Amplifier2SC6023and OSC ApplicationsFeatures Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=2GHz). High cut-off frequency : fT=14.5GHz typ (VCE=1V).: fT=22GHz typ (VCE=3V). Low operating voltage. High gain : S21e2=14dB typ (f=2GHz).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2N5551C
History: 2N5551C
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050