2SA0879 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA0879 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SC-51 TO-92L-A1
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2SA0879 datasheet
2sa0879.pdf
Transistors 2SA0879 (2SA879) Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification Unit mm 5.9 0.2 4.9 0.2 Complementary to 2SC1573 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO 0.7 0.1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -250 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO -200 V
Otros transistores... 2SC6012, 2SC6013, 2SC6023, 2SC6024, 2SC6036, 2SC6044, 2SC6114, 2SC634SP, BC557, 2SA1530A, 2SA1580, 2SA1585S, 2SA1714, 2SA1720, 2SA1723, 2SA1749, 2SA1753
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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