2N7369 Todos los transistores

 

2N7369 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7369
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 115 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO-254
 

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2N7369 Datasheet (PDF)

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2N7369

TECHNICAL DATA PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/621 Devices Qualified Level JAN 2N7369 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T

 9.1. Size:55K  microsemi
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2N7369

TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/622 Devices Qualified Level JAN 2N7368 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T

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