Биполярный транзистор 2N7369 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N7369
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO-254
2N7369 Datasheet (PDF)
2n7369.pdf
TECHNICAL DATA PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/621 Devices Qualified Level JAN 2N7369 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T
2n7368.pdf
TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/622 Devices Qualified Level JAN 2N7368 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
