FJC1308 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJC1308

Código: FBP_FBQ_FBR

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT-89

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FJC1308 datasheet

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FJC1308

July 2005 FJC1308 PNP Epitaxial Silicon Transistor Audio Power Amplifier Applications Complement to FJC1963 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation Voltage Marking 1 3 0 8 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Coll

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FJC1308

July 2005 FJC1386 PNP Epitaxial Silicon Transistor Low Saturation Transistor Medium Power Amplifier Complement to FJC2098 High Collector Current Low Collector-Emitter Saturation Voltage Marking 1 3 8 6 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Uni

Otros transistores... FFB3906, FMB3906, FFB3946, FMB3946, FFB5551, FJA3835, FJAF4210, FJAF4310, MJE350, FJC1386, FJC1963, FJC2383, FJC690, FJC790, FJMA790, FJN13003, FJN3301R