2N631 Todos los transistores

 

2N631 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N631
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.17 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 95 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1.2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO5
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N631 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:165K  mospec
 2n6315-18.pdf pdf_icon

2N631

AAAA

 0.2. Size:196K  bocasemi
 2n6312 2n6313 2n6314 2n4231a 2n4232a 2n4233a.pdf pdf_icon

2N631

ABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com

 0.3. Size:131K  inchange semiconductor
 2n6312 2n6313 2n6314.pdf pdf_icon

2N631

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6312 2N6313 2N6314 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Low leakage current APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol3 CollectorA

 0.4. Size:131K  inchange semiconductor
 2n6315 2n6316.pdf pdf_icon

2N631

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6315 2N6316 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Complement to type 2N6317/6318 APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collect

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History: 2N6364 | ZDT1049 | 2SC3110

 

 
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