FJNS3215R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJNS3215R

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 33

Encapsulados: TO-92S

 Búsqueda de reemplazo de FJNS3215R

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FJNS3215R datasheet

 ..1. Size:36K  fairchild semi
 fjns3215r.pdf pdf_icon

FJNS3215R

FJNS3215R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K , R2=10K ) TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCBO Collector-Base Voltage 5

 7.1. Size:26K  fairchild semi
 fjns3212r.pdf pdf_icon

FJNS3215R

FJNS3212R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJNS4212R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units VCBO Collecto

 7.2. Size:27K  fairchild semi
 fjns3213r.pdf pdf_icon

FJNS3215R

FJNS3213R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2K , R2=47K ) Complement to FJNS4213R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

 7.3. Size:32K  fairchild semi
 fjns3210r.pdf pdf_icon

FJNS3215R

FJNS3210R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJNS4210R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCBO Collector

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FJNS3206R, FJNS3207R, FJNS3208R, FJNS3210R, FJNS3211R, FJNS3212R, FJNS3213R, FJNS3214R, B772, FJNS4201R, FJNS4202R, FJNS4203R, FJNS4204R, FJNS4205R, FJNS4206R, FJNS4207R, FJNS4208R