Справочник транзисторов. FJNS3215R

 

Биполярный транзистор FJNS3215R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJNS3215R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: TO-92S
 

 Аналог (замена) для FJNS3215R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS3215R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  fairchild semi
 fjns3215r.pdf pdf_icon

FJNS3215R

FJNS3215RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=10K)TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVCBO Collector-Base Voltage 5

 7.1. Size:26K  fairchild semi
 fjns3212r.pdf pdf_icon

FJNS3215R

FJNS3212RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJNS4212RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collecto

 7.2. Size:27K  fairchild semi
 fjns3213r.pdf pdf_icon

FJNS3215R

FJNS3213RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2K, R2=47K) Complement to FJNS4213RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.3. Size:32K  fairchild semi
 fjns3210r.pdf pdf_icon

FJNS3215R

FJNS3210RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJNS4210RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVCBO Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJNS3206R , FJNS3207R , FJNS3208R , FJNS3210R , FJNS3211R , FJNS3212R , FJNS3213R , FJNS3214R , S8550 , FJNS4201R , FJNS4202R , FJNS4203R , FJNS4204R , FJNS4205R , FJNS4206R , FJNS4207R , FJNS4208R .

History: STA3250F | 40363 | 2SC1023 | 2SC1460 | 2SC1375 | TN3404 | DM150P

 

 
Back to Top

 


 
.