FJNS4201R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJNS4201R

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO-92S

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FJNS4201R datasheet

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FJNS4201R

FJNS4201R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=4.7K ) Complement to FJNS3201R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

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FJNS4201R

FJNS4204R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K , R2=47K ) Complement to FJNS3204R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C V

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FJNS4201R

FJNS4205R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=10K ) Complement to FJNS3205R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

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FJNS4201R

FJNS4202R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K , R2=10K ) Complement to FJNS3202R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

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