Справочник транзисторов. FJNS4201R

 

Биполярный транзистор FJNS4201R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJNS4201R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO-92S
 

 Аналог (замена) для FJNS4201R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS4201R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  fairchild semi
 fjns4201r.pdf pdf_icon

FJNS4201R

FJNS4201RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=4.7K) Complement to FJNS3201RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.1. Size:65K  fairchild semi
 fjns4204r.pdf pdf_icon

FJNS4201R

FJNS4204RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K, R2=47K) Complement to FJNS3204RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CV

 7.2. Size:69K  fairchild semi
 fjns4205r.pdf pdf_icon

FJNS4201R

FJNS4205RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJNS3205RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.3. Size:36K  fairchild semi
 fjns4202r.pdf pdf_icon

FJNS4201R

FJNS4202RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=10K) Complement to FJNS3202RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJNS3207R , FJNS3208R , FJNS3210R , FJNS3211R , FJNS3212R , FJNS3213R , FJNS3214R , FJNS3215R , BC546 , FJNS4202R , FJNS4203R , FJNS4204R , FJNS4205R , FJNS4206R , FJNS4207R , FJNS4208R , FJNS4210R .

History: MRF16006 | MRF1150MA

 

 
Back to Top

 


 
.