FJNS4214R Todos los transistores

 

FJNS4214R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJNS4214R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: TO-92S
 

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FJNS4214R Datasheet (PDF)

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FJNS4214R

FJNS4214RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to FJNS3214RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

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FJNS4214R

FJNS4210RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJNS3210RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVCBO Collector

 7.2. Size:27K  fairchild semi
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FJNS4214R

FJNS4213RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJNS3213RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.3. Size:26K  fairchild semi
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FJNS4214R

FJNS4211RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJNS3211RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value Units CVCBO Collector

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