FJNS4214R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJNS4214R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: TO-92S

 Аналоги (замена) для FJNS4214R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS4214R даташит

 ..1. Size:27K  fairchild semi
 fjns4214r.pdf pdf_icon

FJNS4214R

FJNS4214R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=47K ) Complement to FJNS3214R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

 7.1. Size:32K  fairchild semi
 fjns4210r.pdf pdf_icon

FJNS4214R

FJNS4210R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJNS3210R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCBO Collector

 7.2. Size:27K  fairchild semi
 fjns4213r.pdf pdf_icon

FJNS4214R

FJNS4213R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K , R2=47K ) Complement to FJNS3213R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

 7.3. Size:26K  fairchild semi
 fjns4211r.pdf pdf_icon

FJNS4214R

FJNS4211R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJNS3211R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCBO Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJNS4205R, FJNS4206R, FJNS4207R, FJNS4208R, FJNS4210R, FJNS4211R, FJNS4212R, FJNS4213R, 8550, FJP5321, FJP5355, FJP9100, FJPF5321, FJPF9020, FJT44, FJV1845, FJV3101R