2N6317 Todos los transistores

 

2N6317 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6317
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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2N6317 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  inchange semiconductor
 2n6317 2n6318.pdf pdf_icon

2N6317

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6317 2N6318 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Complement to type 2N6315/6316 APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol3 Collecto

 9.1. Size:165K  mospec
 2n6315-18.pdf pdf_icon

2N6317

AAAA

 9.2. Size:196K  bocasemi
 2n6312 2n6313 2n6314 2n4231a 2n4232a 2n4233a.pdf pdf_icon

2N6317

ABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com

 9.3. Size:131K  inchange semiconductor
 2n6312 2n6313 2n6314.pdf pdf_icon

2N6317

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6312 2N6313 2N6314 DESCRIPTION With TO-66 package Low collector saturation voltage Low leakage current APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-66) and symbol3 CollectorA

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History: NSBC114YPDXV6T1G | KST13 | BCY70QF | BCY71CSM | BUY92 | NSS40200UW6T1G | HPT1012

 

 
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