FPN330 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FPN330
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO-226
- Selección de transistores por parámetros
FPN330 Datasheet (PDF)
fpn330.pdf

FPN330FPN330ATO-226CBENPN Low Saturation TransistorThese devices are designed for high current gain and lowsaturation voltage with collector currents up to 3.0 A continuous.Sourced from Process NB.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO Collector-Base Voltage 50 VVEBO Emitter-Base
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: FE2919A | UN5117 | KT657V-2 | MJ440 | 2SA1539 | BTD1805BT3 | AD365
History: FE2919A | UN5117 | KT657V-2 | MJ440 | 2SA1539 | BTD1805BT3 | AD365



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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