FPN330. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FPN330

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-226

 Аналоги (замена) для FPN330

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FPN330 даташит

 ..1. Size:47K  fairchild semi
 fpn330.pdf pdf_icon

FPN330

FPN330 FPN330A TO-226 C B E NPN Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0 A continuous. Sourced from Process NB. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Base Voltage 50 V VEBO Emitter-Base

Другие транзисторы: FMBA56, FMBM5401, FMBM5551, FMBS5401, FMBS549, FMBS5551, FMBSA06, FMBSA56, BC549, FPN330A, FPN430, FPN430A, FPN530, FPN530A, FPN560, FPN560A, FPN630