FPN560A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FPN560A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
Paquete / Cubierta: TO-226
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FPN560A
FPN560A Datasheet (PDF)
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FPN560FPN560ATO-226CBENPN Low Saturation TransistorThese devices are designed for high current gain and lowsaturation voltage with collector currents up to 3.0 A continuous.Sourced from Process NA.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VVCBO Collector-Base Voltage 80 VVEBO Emitter-Base
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