FPN660A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FPN660A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
Paquete / Cubierta: TO-226
Búsqueda de reemplazo de FPN660A
FPN660A Datasheet (PDF)
fpn660.pdf

FPN660/FPN660APNP Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0A continuous. Sourced from process PA.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter FPN660 FPN660A UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 VVCBO Collector-Base Voltage 80 60 VV
Otros transistores... FPN430A , FPN530 , FPN530A , FPN560 , FPN560A , FPN630 , FPN630A , FPN660 , B647 , FPNH10 , FSB560 , FSB560A , FSB619 , FSB649 , FSB660 , FSB660A , FSB6726 .
History: 2T2905 | GF135 | ECG217 | 2SC2785JF | 2SC807 | MJ450
History: 2T2905 | GF135 | ECG217 | 2SC2785JF | 2SC807 | MJ450



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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