Биполярный транзистор FPN660A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FPN660A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: TO-226
FPN660A Datasheet (PDF)
8.1. Size:57K fairchild semi
fpn660.pdf
fpn660.pdf
FPN660/FPN660APNP Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0A continuous. Sourced from process PA.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter FPN660 FPN660A UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 VVCBO Collector-Base Voltage 80 60 VV
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050