FSB749 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSB749

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SSOT-3 SOT-23

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FSB749 datasheet

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FSB749

FSB749 C E B SuperSOTTM-3 PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Sourced from Process PC. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FSB749 Units 25 V VCEO Collector-Emitter Voltage 35 V VCBO Collector-Base Voltage 5 V VEBO Emit

Otros transistores... FPNH10, FSB560, FSB560A, FSB619, FSB649, FSB660, FSB660A, FSB6726, A42, FSBCW30, FTM3725, FZT3019, KSA1015, KSA1203, KSA1281, KSA1625, KSB1116S