NZT651 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NZT651
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar NZT651
NZT651 Datasheet (PDF)
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NZT651CECBSOT-223NPN Current Driver TransistorThis device is designed for power amplifier, regulator and switchingcircuits where speed is important. Sourced from Process 4P.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VV Collector-Base Voltage 80 VCBOVEBO Emitter-Base Voltage 5.0 VIC Collec
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Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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