NZT651 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NZT651

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 75

Encapsulados: SOT-223

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NZT651 datasheet

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NZT651

NZT651 C E C B SOT-223 NPN Current Driver Transistor This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuits where speed is important. Sourced from Process 4P. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V V Collector-Base Voltage 80 V CBO VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Collec

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NZT651

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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