NZT660A Todos los transistores

 

NZT660A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NZT660A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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NZT660A Datasheet (PDF)

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NZT660A

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.1. Size:429K  fairchild semi
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NZT660A

April 2005NZT660/NZT660A PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous.4321SOT-2231. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter NZT660 NZT660A UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 VVCBO Collector-Bas

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History: ESM5008 | 2SA1013T

 

 
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