Справочник транзисторов. NZT660A

 

Биполярный транзистор NZT660A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NZT660A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT-223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NZT660A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  onsemi
 nzt660 nzt660a.pdf pdf_icon

NZT660A

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.1. Size:429K  fairchild semi
 nzt660-a.pdf pdf_icon

NZT660A

April 2005NZT660/NZT660A PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous.4321SOT-2231. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter NZT660 NZT660A UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 VVCBO Collector-Bas

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: SS30101-Q | FJNS3210R | 2N5034 | AD1202 | 2SA808A | FTD1898 | 2SA1136

 

 
Back to Top

 


 
.