NZT749 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NZT749

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT-223

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NZT749 datasheet

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NZT749

NZT749 PNP Current Driver Transistor 4 This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuit where speed is important. Sourced from process 5P. 3 2 1 SOT-223 1. Base 2, 4. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VCBO Collector-Base Voltage -35 V

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