NZT749. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NZT749

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для NZT749

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NZT749 даташит

 ..1. Size:38K  fairchild semi
 nzt749.pdf pdf_icon

NZT749

NZT749 PNP Current Driver Transistor 4 This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuit where speed is important. Sourced from process 5P. 3 2 1 SOT-223 1. Base 2, 4. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VCBO Collector-Base Voltage -35 V

Другие транзисторы: TN6717A, NZT6726, TN6726A, NZT6727, NZT6728, TN6728A, NZT6729, TN6729A, 9014, NZT751, NZT753, PN3439, PN3440, PU3117, PUA3117, PUA3228, PZTA29