PUA3117 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PUA3117
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 500
Encapsulados: SIP8-A1
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PUA3117 datasheet
pua3117.pdf
Power Transistor Arrays PUA3117 (PU3117) Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification and switching Unit mm 20.2 0.3 4.0 0.2 Features High forward current transfer ratio hFE Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE 0.8 0.25 NPN 3 elements 0.5 0.15 1.0 0.25 Absolute Maximum Ratings TC = 25 C 0.5 0.15 2.54 0.2 Pa
Otros transistores... NZT6729, TN6729A, NZT749, NZT751, NZT753, PN3439, PN3440, PU3117, S9013, PUA3228, PZTA29, SD1391, SD1398, SJ5436, SJ5437, SJ5439, STS8550
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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