ZTX749A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZTX749A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-226

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ZTX749A datasheet

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ZTX749A

ZTX749A PNP Low Saturation Transistor This device are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. C TO-226 BE Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -35 V VCBO Collector-Base Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -

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ZTX749A

ZTX749 PNP Low Saturation Transistor This device are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. C TO-226 BE Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VCBO Collector-Base Voltage -35 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -

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ZTX749A

PNP SILICON PLANAR 9 ZTX749 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 APRIL 94 . T V I V i i I E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I IT Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I

Otros transistores... TN5415A, TN6705A, TN6707A, TN6716A, TN6718A, TN6719A, TN6725A, TN6727A, 2N2907, UNR1110, UNR1111, UNR1112, UNR1113, UNR1114, UNR1115, UNR1116, UNR1117