UNR1113 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UNR1113

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: M-A1

 Búsqueda de reemplazo de UNR1113

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UNR1113 datasheet

NO DATA!

Otros transistores... TN6718A, TN6719A, TN6725A, TN6727A, ZTX749A, UNR1110, UNR1111, UNR1112, S9018, UNR1114, UNR1115, UNR1116, UNR1117, UNR1118, UNR1119, UNR111D, UNR111E