UNR1113. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UNR1113

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: M-A1

 Аналоги (замена) для UNR1113

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR1113 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TN6718A, TN6719A, TN6725A, TN6727A, ZTX749A, UNR1110, UNR1111, UNR1112, S9018, UNR1114, UNR1115, UNR1116, UNR1117, UNR1118, UNR1119, UNR111D, UNR111E