Справочник транзисторов. UNR1113

 

Биполярный транзистор UNR1113 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UNR1113
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: M-A1
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR1113 Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... TN6718A , TN6719A , TN6725A , TN6727A , ZTX749A , UNR1110 , UNR1111 , UNR1112 , 2SD1555 , UNR1114 , UNR1115 , UNR1116 , UNR1117 , UNR1118 , UNR1119 , UNR111D , UNR111E .

History: ACY21 | L2SA812SLT1G

 

 
Back to Top

 


 
.