STB205L Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB205L

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 42 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO-92L

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STB205L datasheet

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STB205L

STB205L PNP Silicon Transistor PIN Connection Descriptions Suitable for low voltage large current drivers Excellent hFE Linearity. Switching Application Features High hFE hFE=200 400 Low collector saturation voltage. VCE(sat)=-0.5V(MAX.) TO -92L 1 Emitter 2 Collector 3 Base Ordering Information Type NO. Marking Package Code STB ST

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STB205L

STP200NF04 STB200NF04 - STB200NF04-1 N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/D PAK/I PAK STripFET II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200NF04 40 V

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stb200n6f3 sti200n6f3 stp200n6f3.pdf pdf_icon

STB205L

STB200N6F3, STI200N6F3 STP200N6F3 N-channel 60 V, 3 m , 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB200N6F3 60 V

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stb20nm60-1 stb20nm60t4.pdf pdf_icon

STB205L

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

Otros transistores... STA3350D, STA3350F, STA3350L, STA3350PI, STA3350Q, STA3360PI, STA723D, STB1017PI, 8050, STC2073D, STC2073F, STC2073L, STC2073Q, STC345L, STC401D, STC401F, STC401L