2N636A Todos los transistores

 

2N636A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N636A

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO5

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2N636A datasheet

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2N636A

 9.2. Size:148K  jmnic
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2N636A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emit

 9.3. Size:116K  inchange semiconductor
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2N636A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION

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