SBT5551F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SBT5551F
Código: FNF
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar SBT5551F
SBT5551F Datasheet (PDF)
sbt5551f.pdf
SBT5551FNPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose amplifier High voltage application 3 Features high collector breakdown voltage : 1 VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage : 2VCE(sat)=0.5V(MAX.) SOT-23F Complementary pair with SBT5401F Ordering Information Type NO. Marking Package Code FNF
sbt5551.pdf
SBT5551NPN Silicon TransistorPIN ConnectionDescriptions General purpose amplifier High voltage application Features high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) Complementary pair with SBT5401 SOT-23 Ordering Information Type NO. Marking Package Code FNF SBT5551 SOT-2
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History: 2S41
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