SBT5551F Todos los transistores

 

SBT5551F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SBT5551F
   Código: FNF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

SBT5551F Datasheet (PDF)

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SBT5551F

SBT5551FNPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose amplifier High voltage application 3 Features high collector breakdown voltage : 1 VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage : 2VCE(sat)=0.5V(MAX.) SOT-23F Complementary pair with SBT5401F Ordering Information Type NO. Marking Package Code FNF

 7.1. Size:255K  auk
 sbt5551.pdf pdf_icon

SBT5551F

SBT5551NPN Silicon TransistorPIN ConnectionDescriptions General purpose amplifier High voltage application Features high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) Complementary pair with SBT5401 SOT-23 Ordering Information Type NO. Marking Package Code FNF SBT5551 SOT-2

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: FTB649A | KTA1267L | CIL194B | 3DG12 | 2N918AQF | SPS1523A

 

 
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