SBT5551F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SBT5551F

Código: FNF

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT23

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SBT5551F datasheet

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SBT5551F

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SBT5551F

SBT5551 NPN Silicon Transistor PIN Connection Descriptions General purpose amplifier High voltage application Features high collector breakdown voltage VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage VCE(sat)=0.5V(MAX.) Complementary pair with SBT5401 SOT-23 Ordering Information Type NO. Marking Package Code FNF SBT5551 SOT-2

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