STC221F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STC221F

Código: C221

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: SOT-89

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STC221F datasheet

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STC221F

STC221F NPN Silicon Transistor PIN Connection Descriptions General purpose amplifier High current application Features High hFE hFE=160 320 Low collector saturation voltage VCE(sat)=0.5V(MAX.) SOT-89 Ordering Information Type No. Marking Package Code C221 STC221F SOT-89 YWW C221 DEVICE CODE, YWW(Y Year code, WW Weekly code) Absolute ma

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STC221F

S TC 2201 S amHop Microelectronics C orp. Mar 15 2005 ver1.2 P-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ES S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 145 @ VGS = -4.5V -20V -2A S OT-323 package. 195 @ VGS = -2.5V D SOT-323 G S AB S OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless otherwise not

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STC221F

Green Product S TC 2200 S amHop Microelectronics C orp. Mar 15 2005 ver1.2 N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 85 @ VG S = 4.5V 20V 2.3A S OT-323 package. 110 @ VG S = 2.5V D S OT-323 G S AB S OLUTE MAXIMUM R ATING (TA=25 C u

Otros transistores... STA733, STA8550SF, STB1132, STB1188, STB1277L, STC128, STC128M, STC201F, C3198, STC401, STC4081, STC411, STC5551F, STC945, STD123, STD123AS, STD123ASF