STS1979 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS1979
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO-92
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STS1979 datasheet
sts1979.pdf
STS1979 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Description Medium power amplifier Features Large collector current ICMax=-500mA Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage Complementary pair with STS5342 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS1979 STS1979 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5
sts19n3llh6.pdf
STS19N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0049 , 19 A, SO-8 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 5 6 7 8 STS19N3LLH6 30 V 0.0056 19 A RDS(on) * Qg industry benchmark 4 3 2 Extremely low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggedness SO-8 Low gate drive power losses Very low switching gate charge Applications Switch
sts1980.pdf
STS1980 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Description General small signal amplifier Features Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.3V(Max.) Low output capacitance Cob=4pF(Typ.) Complementary pair with STS5343 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS1980 STS1980 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0
Otros transistores... STN2907ASF, STN2907S, STN2907SF, STN3904, STN3904S, STN3904SF, STN3906, STN3906S, BD333, STS1980, STS5343, STS733, STS8050, STS9012, STS9013, STS9014, STS9015
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Liste
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