STS1980 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS1980

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO-92

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STS1980 datasheet

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STS1980

STS1980 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Description General small signal amplifier Features Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.3V(Max.) Low output capacitance Cob=4pF(Typ.) Complementary pair with STS5343 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS1980 STS1980 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0

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STS1980

STS19N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0049 , 19 A, SO-8 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 5 6 7 8 STS19N3LLH6 30 V 0.0056 19 A RDS(on) * Qg industry benchmark 4 3 2 Extremely low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggedness SO-8 Low gate drive power losses Very low switching gate charge Applications Switch

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STS1980

STS1979 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Description Medium power amplifier Features Large collector current ICMax=-500mA Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage Complementary pair with STS5342 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS1979 STS1979 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5

Otros transistores... STN2907S, STN2907SF, STN3904, STN3904S, STN3904SF, STN3906, STN3906S, STS1979, BDT88, STS5343, STS733, STS8050, STS9012, STS9013, STS9014, STS9015, STS9018