SUT562EF Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUT562EF

Código: XX

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-563F

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SUT562EF datasheet

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SUT562EF

SUT562EF Epitaxial planar NPN silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-563F package Package SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT562EF SOT-563F XX Year & Week Code Equivalent circuit &

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