SUT562EF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUT562EF

Маркировка: XX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-563F

 Аналоги (замена) для SUT562EF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SUT562EF даташит

 ..1. Size:287K  auk
 sut562ef.pdf pdf_icon

SUT562EF

SUT562EF Epitaxial planar NPN silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-563F package Package SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT562EF SOT-563F XX Year & Week Code Equivalent circuit &

Другие транзисторы: SUT486J, SUT487J, SUT488J, SUT495J, SUT497H, SUT507EF, SUT509EF, SUT510EF, 2SC2073, SUT575EF, 4124, 4126, 4128, 5302, 13002AH, 13003ADA, 13003BS