Справочник транзисторов. SUT562EF

 

Биполярный транзистор SUT562EF Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SUT562EF
   Маркировка: XX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-563F
 

 Аналог (замена) для SUT562EF

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SUT562EF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  auk
 sut562ef.pdf pdf_icon

SUT562EF

SUT562EFEpitaxial planar NPN silicon transistorDescription Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-563F package Package : SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT562EF SOT-563F XX : Year & Week Code Equivalent circuit &

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: RN1414 | FJV4105R

 

 
Back to Top

 


 
.