UN1596 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UN1596
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de UN1596
UN1596 Datasheet (PDF)
un1596.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UN1596 Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UN1596 are series of NPN silicon planar transistor,which has gain of 500 at IC=100mA.It can be used in such applications: battery powered circuit and darlington replacement. FEATURES * Gain :500 @ IC=100mA * Low saturation vo
Otros transistores... TUL1102 , TUL1203 , UBV45 , ULB121 , ULB122 , ULB124 , UN1066 , UN1518 , TIP36C , UP1496 , UP1753 , UP1851 , UP1853 , UP1855 , UP1855A , UP1856 , UP1868 .
History: NB312Z | 2SA1538D | 2SA1955FV | MMBT3904R | 2SD1898-R | 2SB958 | 2SB1019Y
History: NB312Z | 2SA1538D | 2SA1955FV | MMBT3904R | 2SD1898-R | 2SB958 | 2SB1019Y



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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