DTA123E Todos los transistores

 

DTA123E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTA123E
   Código: AC3E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO-92 SOT-23 SOT-323 SOT-523
 

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DTA123E Datasheet (PDF)

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DTA123E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTA123E PNP SILICON TRANSISTOR DIGITAL TRANSISTORS 3(BUILT- IN BIAS RESISTORS) 12SOT-23 FEATURES 3 3* Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. 1 1* The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to 22SOT-523allow positive input. SOT-323 EQUIVALENT CIRCUIT 1TO-92 ORDERING INFORMATION

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DTA123E

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA123ETPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design3ndbook, 4 columns

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DTA123E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTA123E seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kProduct data sheet 2004 Aug 02Supersedes data of 2004 Apr 07NXP Semiconductors Product data sheetPNP resistor-equipped transistors; PDTA123E seriesR1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 0.3. Size:56K  philips
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DTA123E

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA123ETPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design3ndbook, 4 columns

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