Справочник транзисторов. DTA123E

 

Биполярный транзистор DTA123E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTA123E
   Маркировка: AC3E
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO-92 SOT-23 SOT-323 SOT-523
 

 Аналог (замена) для DTA123E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA123E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  utc
dta123e.pdfpdf_icon

DTA123E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTA123E PNP SILICON TRANSISTOR DIGITAL TRANSISTORS 3(BUILT- IN BIAS RESISTORS) 12SOT-23 FEATURES 3 3* Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. 1 1* The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to 22SOT-523allow positive input. SOT-323 EQUIVALENT CIRCUIT 1TO-92 ORDERING INFORMATION

 0.1. Size:56K  motorola
pdta123et 3.pdfpdf_icon

DTA123E

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA123ETPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design3ndbook, 4 columns

 0.2. Size:183K  philips
pdta123e series.pdfpdf_icon

DTA123E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTA123E seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kProduct data sheet 2004 Aug 02Supersedes data of 2004 Apr 07NXP Semiconductors Product data sheetPNP resistor-equipped transistors; PDTA123E seriesR1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 0.3. Size:56K  philips
pdta123et 3.pdfpdf_icon

DTA123E

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA123ETPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design3ndbook, 4 columns

Другие транзисторы... MPSA92M , DTA113T , DTA114E , DTA114T , DTA114W , DTA114Y , DTA115E , DTA115T , 2SC4793 , DTA123J , DTA123Y , DTA124E , DTA124T , DTA143E , DTA143T , DTA143X , DTA143Z .

 

 
Back to Top

 


 
.