DTA123E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTA123E  📄📄 

Маркировка: AC3E

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-92 SOT-23 SOT-323 SOT-523

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTA123E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA123E даташит

 ..1. Size:193K  utc
dta123e.pdfpdf_icon

DTA123E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTA123E PNP SILICON TRANSISTOR DIGITAL TRANSISTORS 3 (BUILT- IN BIAS RESISTORS) 1 2 SOT-23 FEATURES 3 3 * Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. 1 1 * The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to 2 2 SOT-523 allow positive input. SOT-323 EQUIVALENT CIRCUIT 1 TO-92 ORDERING INFORMATION

 0.1. Size:56K  motorola
pdta123et 3.pdfpdf_icon

DTA123E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA123ET PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 21 Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design 3 ndbook, 4 columns

 0.2. Size:183K  philips
pdta123e series.pdfpdf_icon

DTA123E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA123E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 02 Supersedes data of 2004 Apr 07 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 0.3. Size:56K  philips
pdta123et 3.pdfpdf_icon

DTA123E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA123ET PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 21 Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design 3 ndbook, 4 columns

Другие транзисторы: MPSA92M, DTA113T, DTA114E, DTA114T, DTA114W, DTA114Y, DTA115E, DTA115T, S9014, DTA123J, DTA123Y, DTA124E, DTA124T, DTA143E, DTA143T, DTA143X, DTA143Z