BTA3513J3 Todos los transistores

 

BTA3513J3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTA3513J3
   Código: A3513
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 98 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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BTA3513J3 datasheet

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BTA3513J3

Spec. No. C607J3 Issued Date 2010.12.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80V IC -8A BTA3513J3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTA3513J3 TO-252(DPAK) B Base C Collector

 7.1. Size:247K  cystek
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BTA3513J3

Spec. No. C607I3 Issued Date 2012.02.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80V IC -10A BTA3513I3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTA3513I3 B Base C Collector B C

Otros transistores... BTA1797M3 , BTA1900M3 , BTA1952E3 , BTA1952I3 , BTA1952J3 , BTA1972K3 , BTA2029Y3 , BTA3513I3 , A1013 , BTA4403A3 , BTA9012A3 , BTB589N3 , BTB718N3 , BTB772AJ3 , BTB772AM3 , BTB772I3 , BTB772J3 .

 

 

 


 
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