BTA3513J3 Todos los transistores

 

BTA3513J3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTA3513J3
   Código: A3513
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 98 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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BTA3513J3 Datasheet (PDF)

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BTA3513J3

Spec. No. : C607J3 Issued Date : 2010.12.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -8ABTA3513J3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTA3513J3 TO-252(DPAK) BBase CCollector

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BTA3513J3

Spec. No. : C607I3 Issued Date : 2012.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -10ABTA3513I3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTA3513I3BBase CCollector B C

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History: BDT61A | BCM847DS

 

 
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