Справочник транзисторов. BTA3513J3

 

Биполярный транзистор BTA3513J3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTA3513J3
   Маркировка: A3513
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 98 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для BTA3513J3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTA3513J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  cystek
 bta3513j3.pdf pdf_icon

BTA3513J3

Spec. No. : C607J3 Issued Date : 2010.12.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -8ABTA3513J3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTA3513J3 TO-252(DPAK) BBase CCollector

 7.1. Size:247K  cystek
 bta3513i3.pdf pdf_icon

BTA3513J3

Spec. No. : C607I3 Issued Date : 2012.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -10ABTA3513I3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTA3513I3BBase CCollector B C

Другие транзисторы... BTA1797M3 , BTA1900M3 , BTA1952E3 , BTA1952I3 , BTA1952J3 , BTA1972K3 , BTA2029Y3 , BTA3513I3 , 2SD313 , BTA4403A3 , BTA9012A3 , BTB589N3 , BTB718N3 , BTB772AJ3 , BTB772AM3 , BTB772I3 , BTB772J3 .

History: UMX2N | BTB589N3 | ME6002

 

 
Back to Top

 


 
.